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供应NP3415 20VP沟道增强模式MOSFET

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市百盛新纪元半导体有限公司

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描述

NP3415EMR 采用先进的沟槽技术提供出色的 Ros（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至 1。8V.此设备
适合用作负载开关或 PWM应用。

一般特征

Vos =-20V，lp =-4A
   Ros(oN(Typ.)=34mQ @Vcs= 4.5V
   Rps(oN(Typ.)=44mQ @Vss=-2.5V

高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装

静电防护等级： 2500V HBM

应用

PWM 应用
负载开关


描述

NP3415EMR 采用先进的沟槽技术提供出色的 Ros（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至 1。8V.此设备
适合用作负载开关或 PWM应用。

一般特征
Vos =-20V，lp =-4A
   Ros(oN(Typ.)=34mQ @Vcs= 4.5V
   Rps(oN(Typ.)=44mQ @Vss=-2.5V

高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装

静电防护等级： 2500V HBM

应用

PWM 应用
负载开关






型号/规格

NP3415

品牌/商标

NATLINEAR/南麟

封装形式

SOT-23-3L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率