供应 8205A N沟道增强型MOS场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市百盛新纪元半导体有限公司

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RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.0A = 28mΩ 

RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.0A = 24mΩ 

RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 21mΩ 

特点 

 专有的先进平面技术 

 高密度超低电阻设计 

 大功率、大电流应用 

 理想的锂电池应用 

 封装形式:SOT23-6、TSSOP-8

RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.0A = 28mΩ 

RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.0A = 24mΩ 

RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 21mΩ 

特点 

 专有的先进平面技术 

 高密度超低电阻设计 

 大功率、大电流应用 

 理想的锂电池应用 

 封装形式:SOT23-6、TSSOP-8

型号/规格

8205A

品牌/商标

FM/富满

封装形式

SOT23-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率