PL2301GD SOT-23-3 P通道高密度壕沟MOSFET

地区:广东 深圳
认证:

深圳市百盛新纪元半导体有限公司

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特征

●用于低RDS的超高密电池沟槽设计(开启)。

●坚固而可靠。

●表面安装软件包。

特征

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●表面安装软件包。

特征

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特征

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●坚固而可靠。

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型号/规格

PL2301GD

品牌/商标

PULAN/普蓝

封装形式

SOT-23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率