供应NP2302 20V N沟道增强模式 MOSFET

描述

NP2302FHR采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度电池设计，用于超低电阻。该设备

适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般特征

      RDS(ON)(Typ.)=45mΩ @VGS=4.5V    高功率和电流处理能力

   获得无铅产品



   表面安装包

应用

   PWM应用程序

   负荷开关

描述

NP2302FHR采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度电池设计，用于超低电阻。该设备

适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般特征

      RDS(ON)(Typ.)=45mΩ @VGS=4.5V    高功率和电流处理能力

   获得无铅产品



   表面安装包

应用

   PWM应用程序

   负荷开关