供应NP2301 p-通道增强模式MOSFET

描述

NP2301A采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为

负载开关或在PWM应用程序中使用。

通用功能

VDS=-20V，ID=-2.8A

   RDS(ON)（类型。）=79mΩ @VGS=-2.5V

   RDS (ON)(Typ.)=64mΩ@VGS=-4.5V

高功率和电流处理能力

无铅产品获得

表面安装包

应用程序

PWM应用程序

负载交换机

包装

SOT-23

描述

NP2301A采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为

负载开关或在PWM应用程序中使用。

通用功能

VDS=-20V，ID=-2.8A

   RDS(ON)（类型。）=79mΩ @VGS=-2.5V

   RDS (ON)(Typ.)=64mΩ@VGS=-4.5V

高功率和电流处理能力

无铅产品获得

表面安装包

应用程序

PWM应用程序

负载交换机

包装

SOT-23