MOS管NTS4101PT1G原装现货

制造商编号：NTS4101PT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-323-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 1.37 A

Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 2.5 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV

Qg-栅极电荷: 6.4 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 329 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.85 mm  

长度: 2.1 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: NTS4101P  

晶体管类型: 1 P-Channel