现货配单 WE05DUCS-B 超低电容、低漏电流

江崎二极管（Tunnel Diode）    它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。

TVS，也就是瞬态二极管，它是一种高效能保护元器件，两极若受到反向瞬态高能量时候能够以极快的速度吸收浪涌，对后级电路形成有效的保护，适合于电源产品、通讯设备、家用电器等。TVS瞬态二极管一般以二极管形式出现，类似于稳压管，有单向也有双向TVS。