达林顿晶体管MJD117现货供应

制造商编号：MJD117

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 达林顿晶体管

RoHS: N  

配置: Single

晶体管极性: PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—基极电压 VCBO: 100 V

最大直流电集电极电流: 2 A

最大集电极截止电流: 20 uA

Pd-功率耗散: 20 W

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

封装: Tube

高度: 2.38 mm  

长度: 6.73 mm  

宽度: 6.22 mm  

商标: ON Semiconductor  

集电极连续电流: 2 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 200, 500, 1000  

产品类型: Darlington Transistors  

工厂包装数量: 75  

子类别: Transistors