STM32F469VGT6

要实现输出电压的稳定，脉宽调制器必须受控于输出电压的变动。STM32F469VGT6为了对输出电压的变动取样，常用两种方式:一是基于输出电压当负载电流不变时，正比于开关管导通脉寬的原理，从脉冲变压器专用取样绕组取样;二是从输出电压直接取样。如果直接从输出电压取样，必须解决取样电路的隔离传送问题，否则开关电源输人和输出的隔离被破坏。故早期的脉冲变压器耦合的开关电源都采用第- -种取样方式。该取样方式直接反映于取样电路的只是输人电压引起的感应脉冲幅度变化和开关管导通时间的变化，对次级负载电流的变化，是通过脉冲变压器绕组之间的互感改变初级的等效阻抗，以使初级电感能量存储产生变化来达到--定的负载调整率。

基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F469VGT6属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

带DSP和FPU，具有1 MB Flash、180 MHz CPU和ART加速器。

具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。


STM32F469VGT6参数
料号 STM32F469VGT6
特性 带DSP和FPU的高性能gao级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、TFT、带SDRAM的FMC、双QSPI、TFT和MIPI-DSI
状态 Active
封装 LQFP 100 14x14x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 180
程序存储器大小 (kB) 1024
双组闪存 true
数据RAM大小(kB) 384
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 14
D/A转换器 2
输入/输出端数量 71
显示控制器 LCD TFT Controller,MIPI DSI
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 4
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 3
存储器扩展接口 FMC,Quad SPI
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 140
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 282
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

SY7734DOC
SY7710FHC
SY7711ABC
SY7629BFEC
SY7732RJC
SY7301AADC
SY7301ADBC
SY7201ABC
SY7201ADC
SY7201AABC
SY7728FFFC
SY7728FFEC
SY58284NFAC
SY58285NFAC
SY58288NAGC
SY58120BAAC
SY58121FAC
SY58122FAC
SY58971AAC
SY58978FAC
SY58978U1FAC

STM32F469VGT6
SY58294ZFAC
SY58593ZFAC
SY58594ZFAC
SY58596N1FAC
SY58598YAGC
SY58213FAC
SY58215FAC
SY58206YFAC
SY5839ABC

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