STM32F413ZHJ6TR

空载电流STM32F413ZHJ6TR
变压器次级开路时，初级仍有一定的电流，这部分电流称为空载电流。空载电流由磁化电流（产生磁通）和铁损电流（由铁芯损耗引起）组成。对于 50Hz 电源变压器而言，空载电流基本上等于磁化电流。
空载损耗：指变压器次级开路时，在初级测得功率损耗。主要损耗是铁芯损耗，其次是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗（铜损），这部分损耗很小。STM32F413ZHJ6TR
效率
指次级功率 P2 与初级功率 P1 比值的百分比。通常变压器的额定功率愈大，效率就愈
高。


STM32F413ZH基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

STM32F413ZH由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F413ZHJ6TR属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

它带DSP和FPU，具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。

STM32F413ZH具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。


STM32F413ZHJ6TR参数
料号 STM32F413ZHJ6TR
特性 带DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU、ART加速器和DFSDM
状态 Active
封装 UFBGA 144 10x10x0.6 P 0.8 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 100
程序存储器大小 (kB) 1536
双组闪存 false
数据RAM大小(kB) 320
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 16
D/A转换器 2
输入/输出端数量 114
显示控制器 -
CAN接口数量 3
I2C接口数量 3
SPI接口数量 5
I2S接口数量 5
USART接口数量 4
UART接口数量 6
存储器扩展接口 FSMC,Quad SPI
USB类型 USB OTG FS
加密技术 -
TRNG true
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.1
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 112
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

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