STM32U575ZIT6Q

STM32U575ZIT6Q上限输出功率提高以后，扩大了单端开关电源的应用领域。但是，原有的他激驱动器仍延用PWM系统实现稳压控制，这种控制方式使开关管呈周期性导通和截止，毕竟脉冲宽度变化范围有限，因而难以提高其输人电压变动和大范围负载变动的稳定度。在此情况下，20 世纪末，欧洲几大公司提出了逐周控制的理论，开关电源的电压调整不再是连续的波形，根据对负载变化、输人电压变化的检测设定开关管关断以后第二次开始导通的时间。同时对反激式变换器的输出脉冲电压进行过零检测，脉冲变压器磁场能量释放完毕时，其输出脉冲电压开始下降，利用此下降脉冲后沿控制触发器，使之复位.允许输出下一个脉冲，使开关管导通，再次开始能量存储过程。此过程的优点是:首先降低了开关管的导通损耗。普通PWM型开关电路中，开关管截止后再导通，受控于RC定时电路。当定时电容放电到一定程度时，开关管被启动，偏置重新启动。当贮能电感磁场能量未释放.完毕时，其电感量由于存在反向磁场而减小，其结果是开关管导通电流增大，而增大的激磁电流并未形成能量存储，却抵消了剩余反向磁场，使开关电源效率降低。加入过零检测以

STM32U575ZIT6Q是基于Arm® Cortex®-M33的高ji节能微控制器。它基于专有的超低漏电流技术和优化设计，为节能型嵌入式系统和应用设计者提供性能、功耗、安全和成本效益之间的平衡，满足智能应用zui苛刻的电源/性能要求。这些应用包括可穿戴设备、个人医疗设备、家居自动化和工业传感器。

STM32U575ZIT6Q通过高达2MB的闪存（双组）存储器和786KB的SRAM将性能提升到更高水平。它在25到125 °C范围内具有业内zui低的电流波动，保证了高温下极低的电流消耗。在zui低功耗模式并维持SRAM数据的情况下，它也能实现业界zui低的170 nA电流消耗。停止模式下的唤醒时间低至3.5 μs。

STM32U575ZIT6Q参数
料号 STM32U575ZIT6Q
特性 Ultra-low-power with FPU Arm Cortex-M33 with Trust Zone, MCU 160 MHz with 2Mbytes of Flash memory
状态 Active
封装 LQFP 144 20x20x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M33
操作频率(MHz) 160
程序存储器大小 (kB) 2048
双组闪存 true
-
数据RAM大小(kB) 786
计时器(16-bit) -
计时器 (32-bit) -
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 22,24
14bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 22,24
D/A转换器 2
比较器数量 2
输入/输出端数量 106
显示控制器 LCD parallel Interface
CAN接口数量 -
CAN FD接口数量 1
I2C接口数量 4
SPI接口数量 3
I2S接口数量 -
USART接口数量 3
UART接口数量 2
集成运算放大器 2
其他接口 ADF,Camera Interface,MDF,SAI,SD/MMC,Vref Buffer
存储器扩展接口 Dual Octo SPI,FSMC
USB类型 USB OTG FS,USB Type-C
加密技术 HMAC,MD5,SHA
TRNG true
SMPS Internal
电源电压 (V) min 1.71
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 0.02
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 26
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

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