STM32F427IIH7

一般情况下，STM32F427IIH7保险丝熔断说明电源的内部线路有问题。由于电源工作在高电压、大电流的状态下，电网电压的波动、浪涌都会引起电源内电流瞬间增大而使保险丝熔断。重点应检查电源输入端的整流二极管，高压滤波电解电容，逆变功率开关管等，检查一下这些元器件有无击穿、开路、损坏等。如果确实是保险丝熔断，应该首先查看电路板上的各个元件，看这些元件的外表有没有被烧糊，有没有电解液溢出。如果没有发现上述情况，则用万用表进行测量，如果测量出来两个大功率开关管 e、c 极间的阻值小于 100kΩ，说明开关管损坏。其次测量输入端的电阻值，若小于 200kΩ，说明后端有局部短路现象。


基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

带DSP和FPU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU和ART加速器。

STM32F427IIH7具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。

STM32F427IIH7参数
料号 STM32F427IIH7
特性 带DSP和FPU的高性能gao级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器和带SDRAM的FMC
状态 Active
封装 UFBGA 176+25 10x10x0.6 P 0.65 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 180
程序存储器大小 (kB) 2048
双组闪存 true
数据RAM大小(kB) 256
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 24
D/A转换器 2
输入/输出端数量 140
显示控制器 -
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 6
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 4
存储器扩展接口 FMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 -
TRNG true
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 208
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 105



EP2SGX60DF780C3N
EP2SGX60DF780I4N
EP2S90F1020I4N
EP2S90F1020C5N
EP2S90F1020C3N
EP3SE80F1152I4N
EP3SE80F1152I3N
EP3SE80F1152C4N
EP3SE110F1152C4N
EP3SE110F1152I4N
EP3SE110F1152I3N
EP3SL110F1152I3N
EP3SL110F1152C4N
EP3SL110F1152I4N
EP3SE260F1152I3N

STM32F427IIH7
EP3SE260F1152I4N
EP3SE260F1152C4N
EP4S40G2F40I2N
EP4S40G2F40I3N
EP4S40G2F40I1N
EP4S40G5H40I2N
EP4S40G5H40I1N
EP4SGX180KF40I3N
EP4SGX180KF40C3N
EP4SGX230KF40C3N
EP4SGX230KF40I3N
EP4SGX230KF40I4N
EP4SGX230KF40C4N
EP4SE530H35C2N
EP4SE530H35I3N

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