STM32F429ZIT6TR

根据公式可以知道，STM32F429ZIT6TR辐射强度是和回路面积成正比的，就是说回流需要走的路径越长，形成的环越大，它对外辐射的干扰也越大，所以，PCB 布板的时候要尽可能减小电源回路和信号回路面积。对于一个高速信号来说，提供有好的信号回流可以保证它的信号质量，这是因为 PCB上传输线的特性抗一般是以地层（或电源层）为参考来计算的，如果高速线附近有连续的地平面，这样这条线的阻抗就能保持连续，如果有段线附近没有了地参考，这样阻抗就会发生变化，不连续的阻抗从而会影响到信号的完整性。所以，布线的时候要把高速线分配到靠近地平面的层，或者高速线旁边并行走一两条地线，起到屏蔽和就近提供回流的功能。


基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F429ZIT6TR属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

带DSP和FPU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU和ART加速器。

STM32F429ZIT6TR具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。


STM32F429ZIT6TR参数
料号 STM32F429ZIT6TR
特性 带DSP和FPU的高性能gao级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有2 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、TFT、带SDRAM的FMC和TFT
状态 Active
封装 LQFP 144 20x20x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 180
程序存储器大小 (kB) 2048
双组闪存 true
数据RAM大小(kB) 256
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 24
D/A转换器 2
输入/输出端数量 114
显示控制器 LCD TFT Controller
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 6
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 4
存储器扩展接口 FMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.8
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 208
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

XC6SLX150-3CSG484I
XC6SLX150-3FGG484C
XC6SLX150-3FGG676C
XC6SLX150-3FGG676I
XC6SLX150T-3FGG676C
XC6SLX150T-3FGG676I
XC6SLX16-2CSG324C
XC6SLX16-2CSG324I
XC6SLX16-2FTG256C
XC6SLX16-2FTG256I
XC6SLX16-3CSG324I
XC6SLX25-2CSG324C

STM32F429ZIT6TR
XC6SLX25-2FTG256C
XC6SLX25-2FTG256I
XC6SLX25-3CSG324I
XC6SLX25-3FTG256C
XC6SLX25T-2CSG324I
XC6SLX25T-3CSG324I
XC6SLX4-2CSG225C
XC6SLX4-2TQG144C
XC6SLX45-2CSG324C
XC6SLX45-2CSG324I
XC6SLX45-2CSG484C
XC6SLX45-2CSG484I
XC6SLX45-2FGG484C
XC6SLX45-3CSG324C
XC6SLX45-3CSG484I
XC6SLX45-3FGG484C
XC6SLX45-3FGG484I
XC6SLX45-3FGG676C

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