STM32F429ZET6TR

在控制系统中为了减少信号中电容耦合STM32F429ZET6TR噪声、准确检测和控制，对信号采用屏蔽措施是十分必要的。根据屏蔽目的不同，屏蔽地的接法也不一样。电场屏蔽解决分布电容问题，一般接大地；电磁场屏蔽主要避免雷达、电台等高频电磁场辐射干扰。利用低阻金属材料高导流而制成，可接大地。磁场屏蔽用以防磁铁、电机、变压器、线圈等磁感应，其屏蔽方法是用高导磁材料使磁路闭合，一般接大地为好。当信号电路是一点接地时，低频电缆的屏蔽层也应一点接地。如果电缆的屏蔽层地点有一个以上时，将产生噪声电流，形成噪声干扰源。当一个电路有一个不接地的信号源与系统中接地的放大器相连时，输入端的屏蔽应接至放大器的公共端；相反，当接地的信号源与系统中不接地的放大器相连时，放大器的输入端也应接到信号源的公共端。对于电气系统的接地，要按接地的要求和目的分类，不能将不同类接地简单地、任意地连接在一起，而是要分成若干独立的接地子系统，每个子系统都有其共同的接地点或接地干线，zui后才连接在一起，实行总接地


STM32F429ZET6TR基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F429ZET6TR属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

带DSP和FPU，具有512 KB Flash、180 MHz CPU和ART加速器。

具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。


STM32F429ZET6TR参数
料号 STM32F429ZET6TR
特性 带DSP和FPU的高性能gao级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有512 KB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、TFT、带SDRAM的FMC和TFT
状态 Active
封装 LQFP 144 20x20x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 180
程序存储器大小 (kB) 512
双组闪存 true
数据RAM大小(kB) 256
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 24
D/A转换器 2
输入/输出端数量 114
显示控制器 LCD TFT Controller
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 6
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 4
存储器扩展接口 FMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.8
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 208
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

XC17S30XLPD8C
XC18V02VQG44C
XC2C128-7CPG132C
XC2C128-7TQG144C
XC2C128-7VQG100C
XC2C128-7VQG100I
XC2C256-7TQG144C
XC2C256-7VQG100I
XC2C32A-6VQG44C
XC2C32A-6VQG44I
XC2C384-10FT256C
XC2C64A-7CPG56I
XC2C64A-7QFG48C
XC2C64A-7VQG100C
XC2S100-5TQG144I
XC2S100E-6PQG208C
XC2S150-5FG256C

STM32F429ZET6TR
XC2S150-5FG456C
XC2S150-5PQG208C
XC2S15-5VQG100I
XC2S200-5PQG208C
XC2S200-5PQG208I
XC2S200E-6FTG256C
XC2S300E-6PQ208C
XC2S300E-6PQG208I
XC2S400E-6FGG456C
XC2S50-5TQG144C
XC2S50-5TQG144I
XC2S50E-6TQG144C
XC2V1000-4FG456C

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