STM32F479ZGT6

STM32F479ZGT6是指开关管导通时脉冲变压器储能，开关管截止时，次级二极管导通向负载供电。而正撤式变换器向负载提供电流的方式不同，当开关管导通时，次级二极管同时导通，向负载提供电流，此时脉冲变压器初级有两部分电流，- .是负载提供的电流;二是脉冲变压器的磁化电流。由于次级二极管同时导通。其磁化电流较反激式磁化电流小得多，磁化电流仍形成能量存储，当开关管截止时，次级的二极管同时截止，储存于磁场的能量必须另辟途径释放，否则初级线圈将产生极高的感应电压击穿开关管。所以，正激式开关电源脉冲变压器初、次级相位关系和反激式相反，同时还没有磁场能量释放绕组。

基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F479ZGT6属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

带DSP和FPU，具有1 MB Flash、180 MHz CPU和ART加速器。

具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。


STM32F479ZGT6参数
料号 STM32F479ZGT6
特性 带DSP和FPU的高性能gao级系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、TFT、带SDRAM的FMC、双QSPI、TFT和MIPI-DSI
状态 Active
封装 LQFP 144 20x20x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 180
程序存储器大小 (kB) 1024
双组闪存 true
数据RAM大小(kB) 384
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 20
D/A转换器 2
输入/输出端数量 106
显示控制器 LCD TFT Controller,MIPI DSI
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 4
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 4
存储器扩展接口 FMC,Quad SPI
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 AES,DES/TDES,HMAC,MD5,SHA
TRNG -
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 140
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 282
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

SY6928TYC
SY6025AQHC
SY6025AQEC
SY6025QHC
SY6045QHC
SY6045BQHC
SY6026LQEC
SY6045SGAC
SY6045SQHC
SY6065SGAC

STM32F479ZGT6
SY6075DGAC
SY60050GAF
SY60020QHQ
SY3128AS55-E00
SY13103-G1
SY3103-D21
SY3103-A1
SY3077-C2
SY13079-G1
SY3079AS22-J00
SY3099AS23-J00
SY3088PS32-G01
SY3016PS32-G00
SYT13L05AOC
SYT01S05DWC
SYT03U05SMC
SYT06U05ABC
SYT07S05SBC
SYT08S05SGC
SYT06U05DVC

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