Si2337DS-T1-E3

新产品Si2337DSVishay Siliconix公司P通道80 -V （D -S ）的MOSFET产品概述VDS(V)- 80rDS （ ON）(Ω)0.270在VGS= - 10 V0.303在VGS= - 6 VID(A)a- 2.2- 2.1Qg（典型值）7

特点• TrenchFET®功率MOSFETRoHS指令柔顺TO-236(SOT-23)SG13S2DG顶视图Si2337DS(E7)**标识代码订货信息：Si2337DS-T1-E3（铅（Pb ） - 免费）DP沟道MOSFET绝对最大额定值TA= 25 ℃，除非另有说明参数漏源电压栅源电压TC= 25 °C连续漏电流（TJ= 150 °C)TC= 70 °CTA= 25 °CTA= 70 °C漏电流脉冲连续源极 - 漏极二极管电流雪崩电流单脉冲雪崩能量TC= 25 °CTA= 25 °CL = 0.1 mH的TC= 25 °C最大功率耗散TC= 70 °CTA= 25 °CTA= 70 °C工作结存储温度范围焊接建议（峰值温度）D，ETJ, T英镑PDIDMISIASEASID符号VDSVGS极限- 80± 20- 2.2- 1.75- 1.2B，C- 0.96B，C-7- 2.1- 0.63B，C116.02.51.60.76B，C0.48B，C- 50至150260WmJA单位V°C热电阻额定值参数最大结点到环境B，D符号t≤10秒稳定状态RthJARthJF典型12040最大16650单位° C / W最大结到脚（漏极）注意事项：一。包装有限。B 。表面安装1" X 1" FR4板。Ç 。 T = 10秒。e 。在稳态条件下最大为166 ° C / W