东芝分立半导体RN1115 SOT723

东芝分立半导体RN1115 SOT723

类别分立半导体产品晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置制造商Toshiba Semiconductor and Storage系列-包装 带卷（TR） 零件状态不適用於新設計晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）100mA电压 - 集射极击穿（最大值）50V

东芝分立半导体RN1115 SOT723

电阻器 - 基底（R1）2.2 kOhms电阻器 - 发射极基底（R2）10 kOhms不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）50 @ 10mA，5V不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）300mV @ 250μA，5mA电流 - 集电极截止（最大值）500nA频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装封装/外壳SOT-723

东芝分立半导体RN1115 SOT723