DIODES/美台 DMP2022LSS-13 MOSFET

型号DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13

类别

分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
56.9 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
2444 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
DMP2022
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
56.9 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
2444 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
DMP2022

类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
56.9 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
2444 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号

DMP2022