DIODES/美台 DMN2004K-7 MOSFET

型号DMN2004K-7

DMN2004K-7

DMN2004K-7

DMN2004K-7

类别 分立半导体产品

晶体管
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
Vgs（大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
150 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
350mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号

DMN2004

类别 分立半导体产品
晶体管
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
Vgs（大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
150 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
350mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMN2004
类别 分立半导体产品
晶体管
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
Vgs（大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
150 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
350mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMN2004