供应：晶体管 IXFK150N15

深圳市金嘉锐电子有限公司优势供应：IXFK150N15

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-264-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 150 A

Rds On-漏源导通电阻: 12.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 560 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: HyperFET

封装: Tube

高度: 26.16 mm  

长度: 19.96 mm  

系列: IXFK150N15  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.13 mm  

商标: IXYS  

下降时间: 45 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 60 ns  

工厂包装数量: 25  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 110 ns  

典型接通延迟时间: 50 ns  

单位重量: 10 g

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-264-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 150 A

Rds On-漏源导通电阻: 12.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 560 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: HyperFET

封装: Tube

高度: 26.16 mm  

长度: 19.96 mm  

系列: IXFK150N15  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.13 mm  

商标: IXYS  

下降时间: 45 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 60 ns  

工厂包装数量: 25  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 110 ns  

典型接通延迟时间: 50 ns  

单位重量: 10 g