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产品属性
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制造商:
NXP
产品种类:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:
详细信息
晶体管极性:
N-Channel
技术:
Si
Vds-漏源极击穿电压:
68 V
增益:
18 dB
输出功率:
4 W
最小工作温度:
- 65 C
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
PLD-1.5-3
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.83 mm
长度:
6.73 mm
工作频率:
2 GHz
系列:
MW6S004NT1
宽度:
5.97 mm
商标:
NXP / Freescale
通道模式:
Enhancement
产品类型:
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2 V
零件号别名:
935320257515
单位重量:
280 mg
深圳市金嘉锐电子有限公司优势供应: MW6S004NT1
MW6S004NT1
NXP(恩智浦)
PLD-1.5-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装