供应IRFBA1404PPBF

制造商:  Infineon   
产品种类:  MOSFET   
RoHS:   详细信息  
技术:  Si   
安装风格:  Through Hole   
封装 / 箱体:  TO-273-3   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  40 V   
Id-连续漏极电流:  206 A   
Rds On-漏源导通电阻:  3.7 mOhms   
Vgs - 栅极-源极电压:  20 V   
Qg-栅极电荷:  160 nC   
封装:  Tube   
商标:  Infineon Technologies  
Pd-功率耗散:  300 W  
工厂包装数量:  50  
晶体管类型:  1 N-Channel 

制造商:  Infineon   
产品种类:  MOSFET   
RoHS:   详细信息  
技术:  Si   
安装风格:  Through Hole   
封装 / 箱体:  TO-273-3   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  40 V   
Id-连续漏极电流:  206 A   
Rds On-漏源导通电阻:  3.7 mOhms   
Vgs - 栅极-源极电压:  20 V   
Qg-栅极电荷:  160 nC   
封装:  Tube   
商标:  Infineon Technologies  
Pd-功率耗散:  300 W  
工厂包装数量:  50  
晶体管类型:  1 N-Channel