供应SPW55N80C3

地区:广东 深圳
认证:

深圳市金嘉锐电子有限公司

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制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-247-3 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 800 V 
Id-连续漏极电流: 54.9 A 
Rds On-漏源导通电阻: 77 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V 
Qg-栅极电荷: 288 nC 
最大工作温度: + 150 C 
技术: Si 
封装: Tube 
通道模式: Enhancement 
商标: Infineon Technologies 
配置: Single 
下降时间: 9 ns 
正向跨导 - 最小值: - 
最小工作温度: - 55 C 
Pd-功率耗散: 500 W 
上升时间: 21 ns 
系列: XPW55N80 
典型关闭延迟时间: 200 ns 
典型接通延迟时间: 45 ns
型号/规格

SPW55N80C3

品牌/商标

Infineon

产品种类

MOSFET

封装 / 箱体

TO-247-3

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

800 V