供应2SK3667

地区:广东 深圳
认证:

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标准包装   50
包装   散装  
类别 分立半导体产品
产品族 FET - 单
系列 - 
 

规格 FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.5A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1300pF @ 25V
功率 - 最大值 45W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商器件封装 TO-220SIS

型号/规格

2SK3667

品牌/商标

Toshiba

标准包装

50

类别

分立半导体产品

制造商

Toshiba

Vds-漏源极击穿电压

600 V