供应PMBFJ108

制造商: NXP 
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 25 V 
Vgs-栅源极击穿电压 : - 25 V 
Id-连续漏极电流: 80 mA 
Pd-功率耗散: 250 mW 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SOT-23 
封装: Reel 
商标: NXP Semiconductors 
配置: Single 
Rds On-漏源导通电阻: 8 Ohms 
工厂包装数量: 3000 
零件号别名: PMBFJ108 T/R 
单位重量: 201 mg