制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 76 A
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 92 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 29 ns
正向跨导 - 最小值: 43 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 460 W
上升时间: 25 ns
系列: IXTA76N25
工厂包装数量: 50
商标名: Trench
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 1.600 g
