制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 14 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 5.2 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.56 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DSO-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 7.4 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 7.4 nS
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 40 ns
