制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ECH-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 24 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 17 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Qg-栅极电荷: 7.5 nC
最大工作温度: + 150 C
技术: Si
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
配置: Single Quad Drain Dual Source Dual Gate
下降时间: 1800 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
上升时间: 1000 ns
系列: ECH8601M
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 3000 ns
典型接通延迟时间: 300 ns
