2N7002ET1G

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: ON Semiconductor
Id-连续漏极电流: 260 mA
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 1.2 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 1.2 ns
系列: 2N7002E
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 4.8 ns

型号/规格

2N7002ET1G

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

SOT-23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

供应2N7002ET1G