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N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器
新洁能
75N75
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
MES金属半导体
600(V)
2(mA)
电力场效应晶体管
低压mosfet
mosfet场效应管
mosfet型号
样品测试杭州士兰高压场效应管SVF8N60AF
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