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N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器
台湾震阳
Z4953
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
MES金属半导体
60
490
-4.5A
mosfet引脚
mosfet型号
电力场效应晶体管
低压mosfet
供应Z9926台湾震阳场效应MOS管可替换AO9926
现货供应杭州士兰高压MOS SVD4N65F
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