RYM002N05T2CL 场效应管(MOSFET)

RYM002N05T2CL 场效应管(MOSFET) 150mW 50V 200mA 1个N沟道

一、产品简介 RYM002N05T2CL 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），其设计特别适合在各种电子设备中用作开关及放大器。这款 MOSFET 的额定漏源电压zui高可达 50V，zui大连续漏极电流为 200mA，因其表面贴装的设计（SOT-723 封装），使得它成为现代电子电路中不可或缺的元件。凭借其高效的性能与可靠的稳定性，RYM002N05T2CL 可以广泛应用于可穿戴设备、通信设备和电源管理系统中。 二、技术参数 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管） 漏源电压（Vdss）：50V zui大连续漏极电流（Id）：200mA（在 25?C 环境温度下） 驱动电压（Vgs）： zui小 Rds(on)：0.9V（在 Vgs=4.5V 时） zui大 Rds(on)：2.2Ω（在 Id=200mA，Vgs=4.5V 时） 阈值电压（Vgs(th)）：zui大 800mV（在 1mA 的情况下） Vgs（zui大值）：?8V，确保在极限情况下的安全性能 输入电容（Ciss）：zui大 26pF（在 Vds=10V 时），以实现平滑信号传输 功率耗散（Pd）：zui大 150mW（在 25?C 环境下） 工作温度：zui高工作温度可达 150?C（TJ），保证了在高温环境下的稳定性能 安装类型：表面贴装型，便于自动化装配和小型化设计 封装：VMT3（SOT-723），该封装的物理尺寸相对较小，适合空间受限的应用场合。 三、应用场景 RYM002N05T2CL 的优异性能使其适用于广泛的应用场景，包括但不限于以下几点： 电源管理：作为开关元件，可在电源适配器、DC-DC 转换器中执行高效开关，降低能量损耗提升系统工作效率。 电机驱动：在智能家居设备及玩具电机的驱动中，可用作控制电机的开关，提高电机的响应速度和控制精度。 信号放大：用于音频设备、无线通信中的信号放大，提升信号质量，确保音质清晰。 LED 驱动：在 LED 驱动电源中，RYM002N05T2CL 可作为调光开关，实现 LED 照明的能效管理。 便携式设备：在手机、平板等便携式设备中，作为开关元件，帮助缩小电路板面积，增大产品便携性。 四、优势与特点 节能高效：RYM002N05T2CL 能够在低门压下迅速导通，极大降低了功耗。 高温耐受性：其工作温度范围广，适合在高温环境下长期稳定工作。 高密度封装：小尺寸的 SOT-723 封装设计，适合于紧凑型电路设计，便于集成至各种应用中。 可靠性：ROHM 品牌的质量保证，加上严格的生产工艺和测试，确保产品的稳定性与可靠性。