VNS3NV04DTR-E INFINEON 智能MOS管，两路，N沟道，3.5A

深圳市集路科技有限公司主营电子元器件领域国内外贸易和为客户提供剩余库存解决方案、批量采购及一站式BOM配单等服务。
公司承诺只做原装，我们有着严格的品质管理、优异的技术支持服务，使得我们公司提供的货物品质—流，为您实现所有电子元件零退货，零缺陷的国际现货供应商。公司秉承信誉为首，客户至上，薄利多销的原则，真诚服务广大客户。我们为您在物料短缺的时候解决缺料问题，在需要成本控制的时候提供方案降低您的成本；在你有库存压力的时候，帮您清理库存，及时回笼您的资金流。
专注品牌: SAMSUNG/三星、Hynix/海力士、ADI/亚德诺、XILINX/赛灵思、MICROCHIP微芯、RENESAS瑞萨、德州仪器/TI、意法半导体/ST.等进口品牌芯片。应用范围智能手机、智能化家电、汽车电子、医疗设备等终端产品

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	VNS3NV04DTR-E
是否无铅	不含铅
是否Rohs	符合
生命周期	Obsolete
Objectid	1669400281
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP,
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8542.39.00.01
风险等级	9.55
Samacsys Manufacturer	STMicroelectronics
Samacsys Modified On	2019-07-18 08:42:34
内置保护	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
长度	4.9 mm
湿度敏感等级	1
功能数量	2
端子数量	8
输出电流流向	SOURCE AND SINK
标称输出峰值电流	5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
状态	Not Qualified
座面高度	1.75 mm
供电电压	30 V
供电电压	13 V
标称供电电压	15 V
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的长时间	30
断开时间	10 ?s
接通时间	1.35 ?s
宽度	3.9 mm

AT89C51ID2-SLSUM

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NCV7720DQAR2G
TLE9263BQX
NCV7240BDPR2G
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TS3DV642A0RUAR
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TPS57060QDGQRQ1
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R5F10DLELFB#X6

型号/规格

VNS3NV04DTR-E

品牌/商标

INFINEON

封装

SOP8

批号

23+