NTMFS4955NT3G场效应管(MOSFET)

包装 : 带卷（TR）可替代的包装

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 9.7A（Ta），48A（Tc）

安装类型 : 表面贴装封装/外壳 : 8-PowerTDFN，5 引线封装 : 5-DFN，8-SO 扁引线（5x6）描述：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V

型号/规格

NTMFS4955NT3G

品牌/商标

ON/安森美

封装形式

QFN-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

供应 NTMFS4955NT3G场效应管(MOSFET)