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供应稳先 微 场 效应 管 SFY3407AT-SOT23

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市佩玲电子有限公司

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属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 4.1A
功率(Pd) 1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 55mΩ@10V,4.1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)提供比2DChiplet高出超过200倍的互连密度，以及比现有3D封装解决方案高出15倍的密度。作为Fabless和Foundry两大领域杰出的代表之一，这两家企业对未来半导体行业的发展方向做出的判断以及业内的普遍共识便是：先进封装技术的发展。芯片需求巨大，伴随5G建设加速、汽车电动智能化、高性能计算机群互联规模的不断扩大、物联网在各领域的广泛应用，半导体整体需求陡增。

2.4V@250u





型号/规格

SFY3407AT-SOT23

品牌/商标

WINSEMI/稳先微

封装形式

P-MOS

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

中功率