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供应场效应管(MOSFET) Vishay IRFBG20PBF

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市佩玲电子有限公司

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属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 1kV
连续漏极电流(Id) 1.4A
功率(Pd) 54W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11Ω@10V,840mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)

4V@250u

A

产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT78，TO-220AB,SC-46


是否无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

安装类型

通孔(THT)

工作温度(Tj)

-55°C~150°C

FET类型

N沟道

漏源极电压（Vdss）

1000V（1kV）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（值）

11欧姆@840mA，10V

阈值电压Vgs(th)

4V@250μA

技术

MOSFET（金属氧化物）


型号/规格

IRFBG20PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

大功率