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型号:IRF7342D2PBF
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型号:IRF7342D2PBF
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型号:IRF7342D2PBF
型号:IRF7342D2PBF
产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 3.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
Pd-功率耗散: 2 W
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
95
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 3.9 mm
零件号别名: SP001563510
单位重量: 540 mg
型号:IRF7342D2PBF
IRF7342D2PBF
IR
SOIC-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率