产品种类: MOSFET 供应IRF730P

型号：IRF730P

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型号：IRF730P

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型号：IRF730P

型号：IRF730P

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 400 V
Id-连续漏极电流: 5.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 38 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 74 W
通道模式: Enhancement
系列: IRF
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: IRF730PBF-BE3
单位重量: 2 g

型号：IRF730P