产品种类: MOSFET 供应F630NS

型号：F630NS

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型号：F630NS

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型号：F630NS

型号：F630NS

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 9.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 23.3 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 82 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 小值: 4.9 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
1600
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 7.9 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IRF630NSTRLPBF SP001564548
单位重量: 4 g

型号：F630NS