产品种类: MOSFET供应IRFR3303TRPBF

地区:广东 深圳
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型号:IRFR3303TRPBF

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型号:IRFR3303TRPBF


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型号:IRFR3303TRPBF


型号:IRFR3303TRPBF

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 31 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 28 ns
正向跨导 - 小值: 9.3 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 99 ns
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg

型号:IRFR3303TRPBF

型号/规格

IRFR3303TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率