供应IRFB9N60A 原装IR品牌

型号：IRFB9N60A 

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型号：IRFB9N60A 

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型号：IRFB9N60A 

型号：IRFB9N60A 

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 9.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 750 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 49 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 170 W
通道模式: Enhancement
系列: IRFB
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 22 ns
高度: 15.49 mm
长度: 10.41 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: IRFB9N60APBF-BE3
单位重量: 2 g

型号：IRFB9N60A