产品种类: MOSFET 供应IRL2203NPBF

地区:广东 深圳
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型号:IRL2203NPBF

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型号:IRL2203NPBF


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型号:IRL2203NPBF


型号:IRL2203NPBF

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 40 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 130 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
单位重量: 2 g

型号:IRL2203NPBF

型号/规格

IRL2203NPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

功率特征

大功率