供应FDC642P场效应管/ON安森美

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产品型号:FDC642P

封装形式:SOT23-6

批次:21+
类别:分立半导体产品
描述:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造应用:通用

系列: PowerTrench®
FET 类型: P 通道
漏源电压(Vdss): 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A(Ta)
驱动电压(MAX Rds On,MIN Rds On): 2.5V,4.5V
FDC642P不同 Id、Vgs 时导通电阻(MAX值): 65 毫欧 @ 4A,4.5V
FDC642P不同 Id 时 Vgs(th)(MAX值): 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(MAX值): 16 nC @ 4.5 V
Vgs(MAX值): ±8V 功率耗散(MAX值): 1.6W(Ta)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(MAX值): 925 pF @ 10 V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
高度: 1.1 mm 长度: 2.9 mm 系列: FDC642P 晶体管类型: 1 P-Channel 宽度: 1.6 mm
正向跨导 - MIN值: 9 S 下降时间: 7 ns 上升时间: 7 ns
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
零件号别名: FDC642P_NL 单位重量: 30 mg
用途:家用 
应用领域:家用电器 子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel 类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 120 ns 典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.6 mm 单位重量: 36 mg

晶体管类型: 1 P-Channel 类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 120 ns 典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.6 mm 单位重量: 36  mg晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET  典型关闭延迟时间: 120 ns 典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.6 mm 单位重量: 36 mg 
晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET 典型关闭延迟时间: 120 ns 典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.6 mm 单位重量: 36 mg 晶体管类型: 1 P-Channel



型号/规格

FDC642P

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT23-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装