供应FDC642P场效应管/ON安森美

产品型号：FDC642P

封装形式：SOT23-6

制造应用：通用

系列： PowerTrench®
FET 类型： P 通道
漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）
驱动电压（MAX Rds On，MIN Rds On）： 2.5V，4.5V
FDC642P不同 Id、Vgs 时导通电阻（MAX值）： 65 毫欧 @ 4A，4.5V
FDC642P不同 Id 时 Vgs(th)（MAX值）： 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（MAX值）： 16 nC @ 4.5 V
Vgs（MAX值）： ±8V 功率耗散（MAX值）： 1.6W（Ta）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（MAX值）： 925 pF @ 10 V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
高度： 1.1 mm 长度： 2.9 mm 系列： FDC642P 晶体管类型： 1 P-Channel 宽度： 1.6 mm
正向跨导 - MIN值： 9 S 下降时间： 7 ns 上升时间： 7 ns
典型关闭延迟时间： 120 ns
典型接通延迟时间： 6 ns
零件号别名： FDC642P_NL 单位重量： 30 mg
用途:家用 应用领域:家用电器 子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel 类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 120 ns 典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.6 mm 单位重量: 36 mg

晶体管类型: 1 P-Channel 类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 120 ns 典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.6 mm 单位重量: 36  mg晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET  典型关闭延迟时间: 120 ns 典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.6 mm 单位重量: 36 mg 晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET 典型关闭延迟时间: 120 ns 典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.6 mm 单位重量: 36 mg 晶体管类型: 1 P-Channel