FDG6301N场效应管/ON安森美

产品型号：FDG6301N

批次：21+

描述：分立半导体产品 晶体管 - FET.MOSFET

制造应用：通用

FDG6301N是环保无铅型贴片式场效应管

制造商： onsemi
FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（MAX值）： 4 欧姆 @ 220mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（MAX值）： 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（MAX值）： 0.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（MAX值）： 9.5pF @ 10V
FDG6301N 功率 - MAX值： 300mW 工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型

配置: Dual 下降时间: 4.5 ns 正向跨导 - MIN值: 0.2 S 高度: 1.1 mm 长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signal 产品类型: MOSFET
上升时间: 4.5 ns 系列: FDG6301N 子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel 类型: FET
典型关闭延迟时间: 4 ns 典型接通延迟时间: 5 ns
宽度: 1.25 mm 零件号别名: FDG6301N_NL 单位重量: 28 mg
不同 Id、Vgs 时导通电阻（MAX值）： 4 欧姆 @ 220mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（MAX值）： 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（MAX值）： 0.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（MAX值）： 9.5pF @ 10V

功率 - MAX值： 300mW 工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型

配置: Dual 下降时间: 4.5 ns 正向跨导 - MIN值: 0.2 S 高度: 1.1 mm 长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signal 产品类型: MOSFET
上升时间: 4.5 ns 系列: FDG6301N 子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel 类型: FET
典型关闭延迟时间: 4 ns 典型接通延迟时间: 5 ns