NTR4003NT1G场效应管MOSFET

地区:广东 深圳
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产品型号:NTR4003NT1G

封装形式:SOT23-3
批次:21+
NTR4003NT1G类别:分立半导体产品

NTR4003NT1G描述:晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造应用:通用

NTR4003NT1G针脚数3
漏源极电阻1.5 Ω
极性N-Channel
耗散功率830 mW
阈值电压1.4 V
输入电容21 pF
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
连续漏极电流(Ids)560 mA
上升时间47.9 ns
输入电容(Ciss)21pF @5V(Vds)
额定功率(Max)690 mW
下降时间64.2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)690mW (Ta)
安装方式Surface Mount
引脚数3
封装SOT-23-3
长度3.04 mm
宽度1.4 mm
高度1.01 mm
封装SOT-23-3
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
制造应用计算机和计算机周边, Industrial, 工业, 便携式器材, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Portable Devices, 电源管理
RoHS标准RoHS Compliant
REACH SVHC标准No SVHC
REACH SVHC版本2016/06/20
海关信息
ECCN代码EAR99
应用领域:NTR4003NT1G
•笔记本:
♦电平转换器
逻辑开关
♦低侧负载开关
•便携式应用
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:65.1 ns
典型接通延迟时间:16.7 ns
单位重量:8 mg
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型号/规格

NTR4003NT1G

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装