PESD3V3S2UAT PESD3V3S2UAT

Source Content uid	PESD3V3S2UAT
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	8254302992
包装说明	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Mainland China
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.10.00.50
Date Of Intro	2017-02-01
风险等级	7.48
YTEOL	6.18
zui大击穿电压	6 V
zui小击穿电压	5.2 V
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
zui大非重复峰值反向功率耗散	330 W
元件数量	2
端子数量	3
zui高工作温度	150 ?C
zui低工作温度	-65 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	IEC-60134; IEC-61000-4-2; IEC-61000-4-5
zui大重复峰值反向电压	3.3 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	30

公司还提供以下

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货，如有查不到请联系客服，竭诚为您服务。