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产品属性
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SM8S36ATHE3/I
参数名称
参数值
是否Rohsren证
符合
生命周期
Active
Objectid
8079720722
包装说明
R-PSSO-C1
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
Factory Lead Time
67 weeks
风险等级
1.76
其他特性
HIGH RELIABILITY
zui大击穿电压
44.2 V
zui小击穿电压
40 V
击穿电压标称值
42.1 V
外壳连接
ANODE
zui大钳位电压
58.1 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
DO-218AC
JESD-30 代码
R-PSSO-C1
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
zui大非重复峰值反向功率耗散
6600 W
元件数量
1
端子数量
1
zui高工作温度
175 ?C
zui低工作温度
-55 ?C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
245
极性
UNIDIRECTIONAL
zui大功率耗散
8 W
参考标准
AEC-Q101
zui大重复峰值反向电压
36 V
zui大反向电流
150 ?A
反向测试电压
36 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
C BEND
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的zui长时间
30
公司还提供以下
封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)品牌:村田 三星 国巨 风华 华新
温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货
全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。
SM8S36ATHE3/I
Vishay(威世)
DO-218AB-2
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装