SZMMBZ27VALT1G 瞬态抑制器

参数名称	参数值
Source Content uid	SZMMBZ27VALT1G
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
生命周期	Active
Objectid	1179929966
包装说明	R-PDSO-G3
针数	3
制造商包装代码	318-08
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.10.00.50
Factory Lead Time	55 weeks
风险等级	1.34
Samacsys Description	Zener , Dual, 27 V, Common Anode
Samacsys Manufacturer	onsemi
zui大击穿电压	28.35 V
zui小击穿电压	25.65 V
击穿电压标称值	27 V
zui大钳位电压	40 V
配置	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
zui大正向电压 (VF)	0.9 V
JEDEC-95代码	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
zui大非重复峰值反向功率耗散	40 W
元件数量	2
端子数量	3
zui高工作温度	150 ?C
zui低工作温度	-55 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
zui大功率耗散	0.225 W
参考标准	AEC-Q101; IEC-61000-4-2
zui大重复峰值反向电压	22 V
zui大反向电流	0.05 ?A
反向测试电压	22 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	NOT SPECIFIED

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