SZESD7571N2T5G 瞬态抑制器

参数名称	参数值
Source Content uid	SZESD7571N2T5G
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
生命周期	Active
Objectid	8220787191
包装说明	R-PBCC-N2
制造商包装代码	714AB
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.10.00.50
风险等级	5.6
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
zui小击穿电压	7 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PBCC-N2
JESD-609代码	e4
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
zui高工作温度	150 ?C
zui低工作温度	-55 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
zui大功率耗散	0.3 W
参考标准	AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-5
zui大重复峰值反向电压	5.3 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的zui长时间	NOT SPECIFIED

公司还提供以下

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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