P6SMB56AT3GXCZU47DR 瞬态抑制器
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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参数名称 | 参数值 |
---|---|
Source Content uid | P6SMB56AT3G |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohsren证 | 符合 |
生命周期 | Transferred |
Objectid | 2063261264 |
零件包装代码 | DO-214 |
包装说明 | R-PDSO-C2 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | 403A-03 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.50 |
风险等级 | 5.54 |
Samacsys Description | 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
Samacsys Manufacturer | onsemi |
其他特性 | UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY |
zui大击穿电压 | 58.8 V |
zui小击穿电压 | 53.2 V |
击穿电压标称值 | 56 V |
zui大钳位电压 | 77 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-214AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
zui大非重复峰值反向功率耗散 | 600 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
zui高工作温度 | 150 ?C |
zui低工作温度 | -65 ?C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
zui大功率耗散 | 0.55 W |
ren证状态 | Not Qualified |
zui大重复峰值反向电压 | 47.8 V |
子类别 | Transient Suppressors |
表面贴装 | YES |
技术 | ZENER |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | C BEND |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的zui长时间 | 40 |
公司还提供以下
封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)品牌:村田 三星 国巨 风华 华新
温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货
全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。
P6SMB56AT3GXCZU47DR
ON(安森美)
DO-214AA-2
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装